Получение пленок оксида цинка с использованием слабых оснований..

📖 Получение пленок оксида цинка с использованием слабых оснований..

Тонкопленочные покрытия из оксидов металлов являются группой наиболее востребованных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Среди них оксид цинка является одним из самых перспективных и многофункциональных продуктов, применяемым для нанесения прозрачных токопроводящих контактов, изготовления газовых сенсоров и пьезопреобразователей. Наиболее простым и перспективным методом получения пленок оксида цинка является химическое осаждение из растворов, дающее возможность гибкого управления составом реакционной смеси в ходе синтеза и получения покрытий с требуемым набором свойств. Определение взаимосвязи между условиями гомогенного химического осаждения из водных растворов и структурой пленок оксида цинка является важным направлением в исследовании химии тонкопленочных полупроводниковых материалов. Целью данной работы является установление физико-химических закономерностей гомогенного осаждения пленок и осадков на основе оксида цинка, а также изучение влияния используемых осадителей на структуру и свойства полученных продуктов.

О книге

автор, издательство, серия
Издательство
LAP LAMBERT Academic Publishing
ISBN
978-3-659-87664-6
Год
2016